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Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM Changhwan Shin This book provides a comprehensive overview of contemporary issues in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) device design, describing how to overcome process-induced random variations such as line-edge-roughness, random-dopant-fluctuation, and work-function... Editeur : Springer Parution : 2016-06-06 Collection : Springer Series in Advanced Microelectronics ePub 52,74 € J'achète Téléchargement immédiat Dès validation de votre commande

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